碳化硅器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、轉(zhuǎn)化效率高、體積小和重量輕等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏、5G通訊等領(lǐng)域。但“高硬度、高脆性、低斷裂韌性”的碳化硅，對生產(chǎn)工藝有著極其苛刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶體制備一直是行業(yè)的“卡脖子”技術(shù)。
此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。不但成功解決了8英寸SiC晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題，同時還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛應(yīng)用打下基礎(chǔ)。
SiC晶體生長和加工技術(shù)自主可控是搶占未來競爭制高點的關(guān)鍵!一直以來，晶盛機電始終堅持“打造半導(dǎo)體材料裝備領(lǐng)先企業(yè)，發(fā)展綠色智能高科技制造產(chǎn)業(yè)”的初心使命，通過自主開發(fā)的設(shè)備、熱場和工藝技術(shù)，不斷延伸產(chǎn)品系列。從2017年開始布局碳化硅業(yè)務(wù)，到2020年建立長晶和加工中試線，SiC晶體直徑也從最初的4英寸增大到如今的8英寸，進一步縮小國內(nèi)外技術(shù)差距，保障我國碳化硅產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵核心技術(shù)上的自主可控。
科技創(chuàng)新，為國擔(dān)當(dāng)!此次8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功，不僅極大地提升了晶盛在SiC單晶襯底行業(yè)的國際競爭力，也為寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)化發(fā)展添磚加瓦，為喜迎黨的二十大獻禮!
（來源：晶盛機電）
