近日，位于寧波前灣新區(qū)數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園的清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司，發(fā)布了國(guó)內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)的 1200V SiC Mosfet器件平臺(tái)產(chǎn)品，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)15V驅(qū)動(dòng)SiC Mosfet產(chǎn)品的空白，使國(guó)內(nèi)SiC功率器件技術(shù)躋身國(guó)際領(lǐng)先水平。
該系列產(chǎn)品與國(guó)際主流產(chǎn)品相比，具有更低的導(dǎo)通損耗、更低的熱阻、較低開(kāi)關(guān)損耗，綜合損耗更小，效率更高，其首款1200V 75mΩ SiC Mosfet已獲得國(guó)內(nèi)領(lǐng)先新能源逆變器制造商的批量訂單。
自我國(guó)明確雙碳目標(biāo)以來(lái)，新能源和新能源汽車(chē)行業(yè)進(jìn)入跨越式發(fā)展階段。SiC功率器件得益于高壓、高溫及高頻的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，正成為新一代電力轉(zhuǎn)換的核心器件，已在新能源汽車(chē)、光伏逆變器、儲(chǔ)能等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，顯著提高了電力轉(zhuǎn)換效率。國(guó)家“十四五”計(jì)劃點(diǎn)名發(fā)展“碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體”，希望國(guó)內(nèi)廠商能夠盡快追趕國(guó)際水平，推出自主可控的產(chǎn)品。
清純半導(dǎo)體成立于2021年3月，是前灣新區(qū)為響應(yīng)國(guó)家戰(zhàn)略打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈而重點(diǎn)引進(jìn)的一家碳化硅功率器件設(shè)計(jì)和供應(yīng)商，去年底宣布完成高瓴創(chuàng)投領(lǐng)投的數(shù)億元首輪融資。公司成立一年來(lái)，技術(shù)與產(chǎn)品發(fā)展迅速，目前已突破國(guó)產(chǎn)SiC功率器件設(shè)計(jì)及大規(guī)模制造瓶頸，在極短時(shí)間內(nèi)先后開(kāi)發(fā)出自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC二極管及Mosfet器件產(chǎn)品，產(chǎn)品先后通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試，是目前國(guó)內(nèi)唯一能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達(dá)到國(guó)際一流水平、并且基于國(guó)內(nèi)產(chǎn)線量產(chǎn)SiC Mosfet的企業(yè)。
SiC Mosfet作為應(yīng)用最廣泛的碳化硅功率器件，早已在國(guó)內(nèi)相關(guān)行業(yè)龍頭企業(yè)比亞迪、陽(yáng)光電源和華為等的旗艦產(chǎn)品系列中廣泛使用，其需求也在迅速擴(kuò)大。但我國(guó)SiC Mosfet相關(guān)核心技術(shù)始終未被突破，雖然國(guó)內(nèi)已有個(gè)別廠家能夠少量提供18V驅(qū)動(dòng)的SiC Mosfet產(chǎn)品，但在產(chǎn)品性能和可靠性方面與國(guó)際主流產(chǎn)品仍有較大差距，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要被國(guó)外廠商占據(jù)。近年來(lái)，國(guó)際主流廠商已開(kāi)始大力推廣更先進(jìn)的15V驅(qū)動(dòng)的SiC Mosfet，由此進(jìn)一步拉開(kāi)了與國(guó)內(nèi)產(chǎn)品的技術(shù)代差。
此次清純半導(dǎo)體發(fā)布的15V驅(qū)動(dòng)的1200V SiC Mosfet器件平臺(tái)產(chǎn)品，首次填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)該系列產(chǎn)品空白，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、UPS、通信電源等大功率、高頻、高效率領(lǐng)域，直接實(shí)現(xiàn)SiC器件的國(guó)產(chǎn)替代，助力千萬(wàn)新區(qū)打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)高性能功率芯片的發(fā)展和應(yīng)用。
（來(lái)源：寧波市科技局）
